Ammonothermalsynthese von Halbleitermaterialien und Intermediate

Ziel des Projekts ist es, die chemischen Vorgänge während der Nitrid-Synthese und der Kristallzucht aus überkritischem Ammoniak abhängig von Temperatur und Druck sowie Ausgangsmaterialien, Konzentrationen und weiteren gelösten Stoffen (pH-Wert, ammonosauer, ammonobasisch) zu klären. Schwerpunktmäßig sollen diese Arbeiten exemplarisch zur GaN-Synthese beitragen, im Weiteren wurden die Untersuchungen auf andere binäre Nitrid-Halbleiter wie InN und Zn₃N₂ ausgedehnt. Dabei wird spezielles Augenmerk auf die Charakterisierung der Intermediate gelegt. Das Hauptziel ist ein besseres Verständnis der beteiligten Spezies in den Lösungs-/Abscheidungsvorgängen der Produktbildung und des Kristallwachstums sowie des Einbaus von Verunreinigungen (Übergangsmetalle/Defekte), um so Informationen für die gezielte Prozess-Verbesserung zur Erhöhung der Produkt- und Kristallqualität zu erhalten.