Ammonothermalsynthese von Halbleitermaterialien und Intermediate

Materialien aus überkritischem Ammoniak

Ziel des Projekts ist es, die chemischen Vorgänge während der Nitrid-Synthese und der Kristallzucht aus überkritischem Ammoniak abhängig von Temperatur und Druck sowie Ausgangsmaterialien, Konzentrationen und weiteren gelösten Stoffen (pH-Wert, ammonosauer, ammonobasisch) zu klären. Schwerpunktmäßig sollen diese Arbeiten exemplarisch zur GaN-Synthese beitragen, im Weiteren wurden die Untersuchungen auf andere binäre Nitrid-Halbleiter wie InN und Zn3N2 ausgedehnt. Dabei wird spezielles Augenmerk auf die Charakterisierung der Intermediate gelegt. Das Hauptziel ist ein besseres Verständnis der beteiligten Spezies in den Lösungs-/Abscheidungsvorgängen der Produktbildung und des Kristallwachstums sowie des Einbaus von Verunreinigungen (Übergangsmetalle/Defekte), um den Kooperationspartnern in der DFG-Forschergruppe FOR1600 "Chemie und Technologie der Ammonothermal-Synthese von Nitriden" so Informationen für die gezielte Prozess-Verbesserung zur Erhöhung der Produkt- und Kristallqualität liefern.

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Prof. Dr. rer. nat.

Rainer Niewa

Professor